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IRF7103PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7103PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7103PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7103PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

IRF7103PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7103PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7103PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF71  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7103PBF.

Produkteigenschaften IRF7103PBF IRF7102 IRF7103Q IRF7101TRPBF
Artikelnummer IRF7103PBF IRF7102 IRF7103Q IRF7101TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Leistung - max 2W 2W 2.4W 2W
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - - - Logic Level Gate
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 50V 50V 20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 120pF @ 25V 255pF @ 25V 320pF @ 15V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 6.6nC @ 10V 15nC @ 10V 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 2A 3A 3.5A
Grundproduktnummer IRF71 IRF71 IRF71 IRF71

IRF7103PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7103PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7103PBF - Infineon Technologies herunter.

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