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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7103Q
IRF7103Q Image
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IRF7103Q - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7103Q
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7103Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7103Q.pdf
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

IRF7103Q Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7103Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7103Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V  
Leistung - max 2.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF71  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7103Q.

Produkteigenschaften IRF7103Q IRF7104PBF IRF7102 IRF7103QTRPBF
Artikelnummer IRF7103Q IRF7104PBF IRF7102 IRF7103QTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Cut Tape (CT)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 2.3A 2A 3A
Grundproduktnummer IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Leistung - max 2.4W 2W 2W 2.4W
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V 290pF @ 15V 120pF @ 25V 255pF @ 25V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 25nC @ 10V 6.6nC @ 10V 15nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 20V 50V 50V

IRF7103Q Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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