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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7233TR
IRF7233TR Image
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IRF7233TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7233TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7233TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7233.pdf
vorrätig: 4540

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Spezifikation

IRF7233TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7233TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7233TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7233TR.

Produkteigenschaften IRF7233TR IRF7233TRPBF IRF7220TRPBF IRF7240TR
Artikelnummer IRF7233TR IRF7233TRPBF IRF7220TRPBF IRF7240TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.5A, 4.5V 20mOhm @ 9.5A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V 15mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V 110 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 10 V 6000 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V 9250 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta) 9.5A (Ta) 11A (Ta) 10.5A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 12 V 14 V 40 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7233TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7233TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7233TR - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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