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IRF7220TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7220TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7220TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7220PbF.pdf
vorrätig: 3720

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Spezifikation

IRF7220TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7220TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7220TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 14 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7220TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7220TRPBF IRF7220GTRPBF IRF7210TRPBF IRF720STRRPBF
Artikelnummer IRF7220TRPBF IRF7220GTRPBF IRF7210TRPBF IRF720STRRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V 212 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V 17179 pF @ 10 V 410 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta) 11A (Ta) 16A (Ta) 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V 7mOhm @ 16A, 4.5V 1.8Ohm @ 2A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 14 V 14 V 12 V 400 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 600mV @ 500µA (Min) 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO D²PAK (TO-263)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF7220TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7220TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7220TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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