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IRF7220 Image
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IRF7220 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7220
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7220
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7220.pdf
vorrätig: 4230

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Spezifikation

IRF7220 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7220 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7220

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 14 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7220.

Produkteigenschaften IRF7220 IRF7220TRPBF IRF720S IRF720PBF
Artikelnummer IRF7220 IRF7220TRPBF IRF720S IRF720PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta) 11A (Ta) 3.3A (Tc) 3.3A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 14 V 14 V 400 V 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO D²PAK (TO-263) TO-220AB
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRF7220 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7220 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7220 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRF7220.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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