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IRF7303TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7303TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7303TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7303TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 101110

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Spezifikation

IRF7303TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7303TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7303TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF73  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7303TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7303TRPBF IRF7304TRPBF IRF7304QTRPBF IRF7304PBF
Artikelnummer IRF7303TRPBF IRF7304TRPBF IRF7304QTRPBF IRF7304PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V 610pF @ 15V 610pF @ 15V 610pF @ 15V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bulk
Leistung - max 2W 2W 2W 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 22nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A 4.3A 4.3A 4.3A (Ta)
Grundproduktnummer IRF73 IRF73 IRF73 IRF73
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7303TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7303TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7303TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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