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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7316TR
IRF7316TR Image
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IRF7316TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7316TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7316TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7316.pdf
vorrätig: 3950

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Anzahl

Spezifikation

IRF7316TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7316TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7316TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF731  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7316TR.

Produkteigenschaften IRF7316TR IRF7317TRPBF IRF7316QTRPBF IRF7317PBF
Artikelnummer IRF7316TR IRF7317TRPBF IRF7316QTRPBF IRF7317PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A 6.6A, 5.3A 4.9A 6.6A, 5.3A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V 27nC @ 4.5V 34nC @ 10V 27nC @ 4.5V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V 58mOhm @ 4.9A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V 900pF @ 15V 710pF @ 25V 900pF @ 15V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer IRF731 IRF731 IRF731 IRF731
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 30V 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 2W 2W 2W 2W

IRF7316TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7316TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7316TR - Infineon Technologies herunter.

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IRF7316.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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