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IRF7314QTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7314QTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7314QTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7314QPbF.pdf
vorrätig: 4540

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Spezifikation

IRF7314QTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7314QTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7314QTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 5.2A, 4.5V  
Leistung - max 2.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 913pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF731  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7314QTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7314QTRPBF IRF7316QTRPBF IRF7313TRPBF-1 IRF7316TR
Artikelnummer IRF7314QTRPBF IRF7316QTRPBF IRF7313TRPBF-1 IRF7316TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 913pF @ 15V 710pF @ 25V 650pF @ 25V 710pF @ 25V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max 2.4W 2W 2W (Ta) 2W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 5.2A, 4.5V 58mOhm @ 4.9A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V 34nC @ 10V 33nC @ 10V 34nC @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Paket Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SOIC 8-SO
Grundproduktnummer IRF731 IRF731 IRF731 IRF731
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A 4.9A 6.5A (Ta) 4.9A
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA

IRF7314QTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7314QTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7314QTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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IRF7314QPbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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