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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7314TRPBF
IRF7314TRPBF Image
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IRF7314TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7314TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7314TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7314TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60950

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Anzahl

Spezifikation

IRF7314TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7314TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7314TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF731  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7314TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7314TRPBF IRF7314PBF IRF7313TRPBF-1 IRF7316TR
Artikelnummer IRF7314TRPBF IRF7314PBF IRF7313TRPBF-1 IRF7316TR
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 30V 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V 29nC @ 4.5V 33nC @ 10V 34nC @ 10V
Leistung - max 2W 2W 2W (Ta) 2W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A 5.3A 6.5A (Ta) 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 29mOhm @ 5.8A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SOIC 8-SO
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V 780pF @ 15V 650pF @ 25V 710pF @ 25V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Grundproduktnummer IRF731 IRF731 IRF731 IRF731

IRF7314TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7314TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7314TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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