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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7452
IRF7452 Image
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IRF7452 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7452
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7452
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7452.pdf
vorrätig: 4870

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Anzahl

Spezifikation

IRF7452 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7452 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7452

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7452.

Produkteigenschaften IRF7452 IRF7453TR IRF7452TRPBF IRF7453TRPBF
Artikelnummer IRF7452 IRF7453TR IRF7452TRPBF IRF7453TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 100 V 250 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta) 2.2A (Ta) 4.5A (Ta) 2.2A (Ta)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF7452 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7452 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7452 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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