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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7452PBF
International Rectifier
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IRF7452PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF7452PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7452PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMPS HEXFET POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7452PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4410

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Anzahl

Spezifikation

IRF7452PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF7452PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF7452PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF7452PBF.

Produkteigenschaften IRF7452PBF IRF7453TRPBF IRF7450 IRF7452TRPBF
Artikelnummer IRF7452PBF IRF7453TRPBF IRF7450 IRF7452TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 170mOhm @ 1.5A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 200 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta) 2.2A (Ta) 2.5A (Ta) 4.5A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 940 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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