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IRF7452QTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7452QTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7452QTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7452QTRPBF.pdf
vorrätig: 4440

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Anzahl

Spezifikation

IRF7452QTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7452QTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7452QTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7452QTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7452QTRPBF IRF7453TR IRF7452 IRF7452TRPBF
Artikelnummer IRF7452QTRPBF IRF7453TR IRF7452 IRF7452TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 100 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta) 2.2A (Ta) 4.5A (Ta) 4.5A (Ta)

IRF7452QTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7452QTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7452QTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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