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IRF7478QTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7478QTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7478QTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7478QPbF.pdf
vorrätig: 5390

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Anzahl

Spezifikation

IRF7478QTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7478QTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7478QTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 4.2A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7478QTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7478QTRPBF IRF7478PBF IRF7478TRPBF IRF7477PBF
Artikelnummer IRF7478QTRPBF IRF7478PBF IRF7478TRPBF IRF7477PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 2710 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 30 V
Paket Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 4.2A, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta) 14A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO

IRF7478QTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7478QTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7478QTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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