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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7484Q
IRF7484Q Image
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IRF7484Q - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7484Q
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7484Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7484Q.pdf
vorrätig: 3820

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Spezifikation

IRF7484Q Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7484Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7484Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7484Q.

Produkteigenschaften IRF7484Q IRF7478PBF IRF7480MTRPBF IRF7490PBF
Artikelnummer IRF7484Q IRF7478PBF IRF7480MTRPBF IRF7490PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 6680 pF @ 25 V 1720 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V 26mOhm @ 4.2A, 10V 1.2mOhm @ 132A, 10V 39mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 96W (Tc) 2.5W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric ME 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 7A (Ta) 217A (Tc) 5.4A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO DirectFET™ Isometric ME 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V 31 nC @ 4.5 V 185 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 40 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3.9V @ 150µA 4V @ 250µA

IRF7484Q Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7484Q PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7484Q - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRF7484Q.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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