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IRF7484TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7484TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7484TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7484PbF.pdf
vorrätig: 5260

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Spezifikation

IRF7484TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7484TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7484TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7484TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7484TRPBF IRF7484Q IRF7480MTRPBF IRF7490PBF
Artikelnummer IRF7484TRPBF IRF7484Q IRF7480MTRPBF IRF7490PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 14A (Ta) 217A (Tc) 5.4A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V 7V 6V, 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V 100 nC @ 7 V 185 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V 10mOhm @ 14A, 7V 1.2mOhm @ 132A, 10V 39mOhm @ 3.2A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric ME 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3.9V @ 150µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 96W (Tc) 2.5W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V 3520 pF @ 25 V 6680 pF @ 25 V 1720 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO DirectFET™ Isometric ME 8-SO
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®

IRF7484TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7484TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7484TRPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRF7484PbF.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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