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IRF7750GTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7750GTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7750GTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7750GPBF.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4740

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Spezifikation

IRF7750GTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7750GTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7750GTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF7750  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7750GTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7750GTRPBF IRF7751TRPBF IRF7750TRPBF IRF7755TR
Artikelnummer IRF7750GTRPBF IRF7751TRPBF IRF7750TRPBF IRF7755TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Leistung - max 1W 1W 1W 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V 35mOhm @ 4.5A, 10V 30mOhm @ 4.7A, 4.5V 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A 4.5A 4.7A 3.9A
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Grundproduktnummer IRF7750 IRF775 IRF7750 IRF775
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V 44nC @ 10V 39nC @ 5V 17nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 20V 20V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V 1464pF @ 25V 1700pF @ 15V 1090pF @ 15V

IRF7750GTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7750GTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7750GTRPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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