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IRF7752 Image
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IRF7752 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7752
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7752
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7752.pdf
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

IRF7752 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7752 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7752

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.6A, 10V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 861pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF775  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7752.

Produkteigenschaften IRF7752 IRF7756TRPBF IRF7755TR IRF7751GTRPBF
Artikelnummer IRF7752 IRF7756TRPBF IRF7755TR IRF7751GTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.6A, 10V 40mOhm @ 4.3A, 4.5V 51mOhm @ 3.7A, 4.5V 35mOhm @ 4.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1W 1W 1W 1W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A 4.3A 3.9A 4.5A
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 861pF @ 25V 1400pF @ 10V 1090pF @ 15V 1464pF @ 25V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer IRF775 IRF775 IRF775 IRF775
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V 18nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V 44nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 12V 20V 30V

IRF7752 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7752 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7752 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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