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IRF7755TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7755TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7755TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7755.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4430

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Spezifikation

IRF7755TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7755TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7755TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 3.7A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF775  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7755TR.

Produkteigenschaften IRF7755TR IRF7757TR IRF7757TRPBF IRF7752TRPBF
Artikelnummer IRF7755TR IRF7757TR IRF7757TRPBF IRF7752TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A 4.8A 4.8A 4.6A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 3.7A, 4.5V 35mOhm @ 4.8A, 4.5V 35mOhm @ 4.8A, 4.5V 30mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 23nC @ 4.5V 23nC @ 4.5V 9nC @ 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 15V 1340pF @ 15V 1340pF @ 15V 861pF @ 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2V @ 250µA
Grundproduktnummer IRF775 IRF7757 IRF7757 IRF775
Leistung - max 1W 1.2W 1.2W 1W

IRF7755TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7755TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7755TR - Infineon Technologies herunter.

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EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRF7755.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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