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IRF8714TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF8714TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF8714TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF8714TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 100220

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Anzahl

Spezifikation

IRF8714TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF8714TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF8714TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  
Grundproduktnummer IRF8714  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF8714TRPBF.

Produkteigenschaften IRF8714TRPBF IRF8707TRPBF-1 IRF8714PBF IRF8721GTRPBF
Artikelnummer IRF8714TRPBF IRF8707TRPBF-1 IRF8714PBF IRF8721GTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 9.3 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SOIC 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V 11.9mOhm @ 11A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 15 V 760 pF @ 15 V 1020 pF @ 15 V 1040 pF @ 15 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 11A (Ta) 14A (Ta) 14A (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IRF8714 - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRF8714TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF8714TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF8714TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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