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IRF8721TRPBF Image
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IRF8721TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF8721TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF8721TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF8721TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 95730

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Anzahl

Spezifikation

IRF8721TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF8721TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF8721TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  
Grundproduktnummer IRF8721  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF8721TRPBF.

Produkteigenschaften IRF8721TRPBF IRF8736PBF IRF8714GTRPBF IRF8721GTRPBF
Artikelnummer IRF8721TRPBF IRF8736PBF IRF8714GTRPBF IRF8721GTRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 18A (Ta) 14A (Ta) 14A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 14A, 10V 4.8mOhm @ 18A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IRF8721 - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 15 V 2315 pF @ 15 V 1020 pF @ 15 V 1040 pF @ 15 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRF8721TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF8721TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF8721TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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