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IRF8734TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF8734TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF8734TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF8734TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67440

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Spezifikation

IRF8734TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF8734TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF8734TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3175 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta)  
Grundproduktnummer IRF8734  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF8734TRPBF.

Produkteigenschaften IRF8734TRPBF IRF8788TRPBF IRF8714TRPBF IRF8736TRPBF
Artikelnummer IRF8734TRPBF IRF8788TRPBF IRF8714TRPBF IRF8736TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 66 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3175 pF @ 15 V 5720 pF @ 15 V 1020 pF @ 15 V 2315 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SO 8-SO 8-SO
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Grundproduktnummer IRF8734 IRF8788 IRF8714 IRF8736
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta) 24A (Ta) 14A (Ta) 18A (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 21A, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 4.8mOhm @ 18A, 10V

IRF8734TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF8734TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF8734TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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