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IRF9520NSTRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9520NSTRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9520NSTRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF9520NS/L.pdf
vorrätig: 4030

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Spezifikation

IRF9520NSTRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9520NSTRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9520NSTRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9520NSTRL.

Produkteigenschaften IRF9520NSTRL IRF9520STRL IRF9520 IRF9520NL
Artikelnummer IRF9520NSTRL IRF9520STRL IRF9520 IRF9520NL
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Harris Corporation Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 40W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Tc) 6.8A (Tc) 6A (Tc) 6.8A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4A, 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 480mOhm @ 4A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V

IRF9520NSTRL Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9520NSTRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF9520NSTRL - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRF9520NS/L.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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