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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9520NPBF
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IRF9520NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9520NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9520NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF9520NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51310

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Anzahl

Spezifikation

IRF9520NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9520NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9520NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF9520  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9520NPBF.

Produkteigenschaften IRF9520NPBF IRF9520NS IRF9520NSTRL IRF9511
Artikelnummer IRF9520NPBF IRF9520NS IRF9520NSTRL IRF9511
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Harris Corporation
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 80 V
Grundproduktnummer IRF9520 - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Tc) 6.8A (Tc) 6.8A (Tc) 3A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D2PAK TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4A, 10V 480mOhm @ 4A, 10V 480mOhm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 1.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -

IRF9520NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9520NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF9520NPBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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