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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9520
Vishay Siliconix
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IRF9520 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF9520
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9520
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF9520, SiHF9520.pdf
vorrätig: 4260

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Anzahl

Spezifikation

IRF9520 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF9520 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF9520

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF9520  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF9520.

Produkteigenschaften IRF9520 IRF9520NSPBF IRF9520NS IRF9520NSTRL
Artikelnummer IRF9520 IRF9520NSPBF IRF9520NS IRF9520NSTRL
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRF9520 - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.1A, 10V 480mOhm @ 4A, 10V 480mOhm @ 4A, 10V 480mOhm @ 4A, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Tc) 6.8A (Tc) 6.8A (Tc) 6.8A (Tc)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc)

IRF9520 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9520 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF9520 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
IRF9520, SiHF9520.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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