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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5300TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH5300TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5300TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5300TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5300TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52120

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Anzahl

Spezifikation

IRFH5300TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5300TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5300TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH5300  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5300TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH5300TRPBF IRFH5302TR2PBF IRFH5301TRPBF IRFH5250TRPBF
Artikelnummer IRFH5300TRPBF IRFH5302TR2PBF IRFH5301TRPBF IRFH5250TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer IRFH5300 - IRFH5301 IRFH5250
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 250W (Tc) - 3.6W (Ta), 110W (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta), 100A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc) 35A (Ta), 100A (Tc) 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 50A, 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V 1.85mOhm @ 50A, 10V 1.15mOhm @ 50A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 15 V 4400 pF @ 15 V 5114 pF @ 15 V 7174 pF @ 13 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 150µA

IRFH5300TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5300TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5300TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Gen 10.59 Fab Site Add 14/Nov/2017.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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