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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5301TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH5301TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5301TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5301TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5301TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 77090

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Anzahl

Spezifikation

IRFH5301TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5301TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5301TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.85mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5114 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH5301  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5301TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH5301TRPBF IRFH5302DTRPBF IRFH5301TR2PBF IRFH5303TRPBF
Artikelnummer IRFH5301TRPBF IRFH5302DTRPBF IRFH5301TR2PBF IRFH5303TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRFH5301 IRFH5302 - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 110W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) - 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.85mOhm @ 50A, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 1.85mOhm @ 50A, 10V 4.2mOhm @ 49A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta), 100A (Tc) 29A (Ta), 100A (Tc) 35A (Ta), 100A (Tc) 23A (Ta), 82A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die PQFN (5x6) Single Die PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5114 pF @ 15 V 3635 pF @ 25 V 5114 pF @ 15 V 2190 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
FET-Merkmal - - - -

IRFH5301TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5301TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5301TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Gen 10.59 Fab Site Add 14/Nov/2017.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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