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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5302DTR2PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH5302DTR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5302DTR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5302DTR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5302DTR2PBF.pdf
vorrätig: 4630

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Spezifikation

IRFH5302DTR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5302DTR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5302DTR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 50A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3635 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Ta), 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5302DTR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH5302DTR2PBF IRFH5303TR2PBF IRFH5302DTRPBF IRFH5300TRPBF
Artikelnummer IRFH5302DTR2PBF IRFH5303TR2PBF IRFH5302DTRPBF IRFH5300TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 50A, 10V 4.2mOhm @ 49A, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 150µA
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Ta), 100A (Tc) 23A (Ta), 82A (Tc) 29A (Ta), 100A (Tc) 40A (Ta), 100A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3635 pF @ 25 V 2190 pF @ 15 V 3635 pF @ 25 V 7200 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRFH5302DTR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5302DTR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5302DTR2PBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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