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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7084TRPBF
Infineon Technologies
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IRFH7084TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7084TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7084TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH7084TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 41620

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Spezifikation

IRFH7084TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7084TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7084TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH7084  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7084TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7084TRPBF IRFH7004TRPBF IRFH7184ATRPBF IRFH7085TRPBF
Artikelnummer IRFH7084TRPBF IRFH7004TRPBF IRFH7184ATRPBF IRFH7085TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 100A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V - 3.2mOhm @ 75A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IRFH7084 IRFH7004 - IRFH7085
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V - 165 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-VQFN Exposed Pad - 8-PowerVDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ * StrongIRFET™
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) - PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) - 100A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 25 V 6419 pF @ 25 V - 6460 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V - 6V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA 3.9V @ 150µA - 3.7V @ 150µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V - 60 V
Verlustleistung (max) 156W (Tc) 156W (Tc) - 156W (Tc)

IRFH7084TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7084TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7084TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Site Add 9/Aug/2018.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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