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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH8337TR2PBF
Infineon Technologies
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IRFH8337TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH8337TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH8337TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH8337TR2PbF.pdf
vorrätig: 4860

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Anzahl

Spezifikation

IRFH8337TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH8337TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH8337TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16.2A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH8337TR2PBF IRFH9310TRPBF IRFH8337TRPBF IRFH8330TRPBF
Artikelnummer IRFH8337TR2PBF IRFH9310TRPBF IRFH8337TRPBF IRFH8330TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc) 12A (Ta), 35A (Tc) 17A (Ta), 56A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16.2A, 10V 4.6mOhm @ 21A, 10V 12.8mOhm @ 16.2A, 10V 6.6mOhm @ 20A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.4V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 10 V 5250 pF @ 15 V 790 pF @ 10 V 1450 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

IRFH8337TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH8337TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH8337TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRFH8337TR2PbF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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