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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH8337TRPBF
International Rectifier
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH8337TRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFH8337TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH8337TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH8337TRPBF.pdf
vorrätig: 4080

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Spezifikation

IRFH8337TRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFH8337TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFH8337TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 27W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFH8337TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH8337TRPBF IRFH9310TRPBF IRFHM4226TRPBF IRFHM3911TRPBF
Artikelnummer IRFH8337TRPBF IRFH9310TRPBF IRFHM4226TRPBF IRFHM3911TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.4V @ 100µA 2.1V @ 50µA 4V @ 35µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16.2A, 10V 4.6mOhm @ 21A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 115mOhm @ 6.3A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) PQFN (5x6) - 8-PQFN (3x3)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc) 28A (Ta) 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 27W (Tc) 3.1W (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 10 V 5250 pF @ 15 V 2000 pF @ 13 V 760 pF @ 50 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 25 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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