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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM4226TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHM4226TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFHM4226TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM4226TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TQFN Exposed Pad
Datenblatt
IRFHM4226TRPBF.pdf
vorrätig: 4360

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Spezifikation

IRFHM4226TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFHM4226TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFHM4226TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 39W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-TQFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFHM4226TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHM4226TRPBF IRFHM4231TRPBF IRFHM4234TRPBF IRFHM7194TRPBF
Artikelnummer IRFHM4226TRPBF IRFHM4231TRPBF IRFHM4234TRPBF IRFHM7194TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 4.4mOhm @ 30A, 10V 16.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 39W (Tc) 2.7W (Ta), 29W (Tc) 2.8W (Ta), 28W (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 100 V
Serie HEXFET® HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 50µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 25µA 3.6V @ 50µA
Verpackung / Gehäuse 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 13 V 1270 pF @ 13 V 1011 pF @ 13 V 733 pF @ 50 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta) 40A (Tc) 20A (Ta) 9.3A (Ta), 34A (Tc)

IRFHM4226TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFHM4226TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFHM4226TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf
PCN -Design/Spezifikation
IRFHM4226 Datasheet Update 10/Oct/2014.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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