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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM7194TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHM7194TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFHM7194TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM7194TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFHM7194TRPbF.pdf
vorrätig: 5490

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Anzahl

Spezifikation

IRFHM7194TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFHM7194TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFHM7194TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3), Power33  
Serie FASTIRFET™, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.4mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 733 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta), 34A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFHM7194TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHM7194TRPBF IRFHM4234TRPBF IRFHM4231TRPBF IRFH9310TRPBF
Artikelnummer IRFHM7194TRPBF IRFHM4234TRPBF IRFHM4231TRPBF IRFH9310TRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 733 pF @ 50 V 1011 pF @ 13 V 1270 pF @ 13 V 5250 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta), 34A (Tc) 20A (Ta) 40A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc)
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 37W (Tc) 2.8W (Ta), 28W (Tc) 2.7W (Ta), 29W (Tc) 3.1W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 50µA 2.1V @ 25µA 2.1V @ 35µA 2.4V @ 100µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 25 V 25 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.4mOhm @ 20A, 10V 4.4mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 4.6mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 - 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6)

IRFHM7194TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFHM7194TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFHM7194TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Device EOL 22/Jul/2016.pdf
Datenblätter
IRFHM7194TRPbF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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