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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHM830TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFHM830TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM830TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFHM830TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 85210

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Spezifikation

IRFHM830TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFHM830TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFHM830TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2155 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFHM830  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFHM830TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHM830TRPBF IRFHM8235TRPBF IRFHM831TR2PBF IRFHM8329TRPBF
Artikelnummer IRFHM830TRPBF IRFHM8235TRPBF IRFHM831TR2PBF IRFHM8329TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 PQFN (3x3) PQFN (3x3)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer IRFHM830 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.2V @ 25µA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 16 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc) 16A (Ta) 14A (Ta), 40A (Tc) 16A (Ta), 57A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) - 2.6W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2155 pF @ 25 V 1040 pF @ 10 V 1050 pF @ 25 V 1710 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFHM830TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFHM830TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFHM830TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Retraction 01/Jul/2015.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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