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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFI3205PBF
IRFI3205PBF Image
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IRFI3205PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFI3205PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI3205PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRFI3205PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21623

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Anzahl

Spezifikation

IRFI3205PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFI3205PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFI3205PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFI3205  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFI3205PBF.

Produkteigenschaften IRFI3205PBF IRFHS9301TRPBF IRFI1010NPBF IRFI3306GPBF
Artikelnummer IRFI3205PBF IRFHS9301TRPBF IRFI1010NPBF IRFI3306GPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V 55 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 6A (Ta), 13A (Tc) 49A (Tc) 71A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak 6-PQFN (2x2) (DFN2020) TO-220AB Full-Pak PG-TO220 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 580 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 4685 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.4V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 1.037mA
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 34A, 10V 37mOhm @ 7.8A, 10V 12mOhm @ 26A, 10V 4.2mOhm @ 43A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 2.1W (Ta) 58W (Tc) 46W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IRFI3205 IRFHS9301 - -

IRFI3205PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI3205PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFI3205PBF - Infineon Technologies herunter.

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