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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP054N
IRFP054N Image
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IRFP054N - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFP054N
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP054N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP054N.pdf
vorrätig: 4000

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Anzahl

Spezifikation

IRFP054N Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFP054N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFP054N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 43A, 10V  
Verlustleistung (max) 170W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bag  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 81A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFP054N.

Produkteigenschaften IRFP054N IRFP044NPBF IRFP054 IRFP064PBF
Artikelnummer IRFP054N IRFP044NPBF IRFP054 IRFP064PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 170W (Tc) 120W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 81A (Tc) 53A (Tc) 70A (Tc) 70A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 60 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 43A, 10V 20mOhm @ 29A, 10V 14mOhm @ 54A, 10V 9mOhm @ 78A, 10V
Paket Bag Bulk Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFP054N Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP054N PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFP054N - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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