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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP064
IRFP064 Image
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IRFP064 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP064
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP064
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP064.pdf
vorrätig: 4590

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Anzahl

Spezifikation

IRFP064 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP064 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP064

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 78A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP064  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP064.

Produkteigenschaften IRFP064 IRFP054NPBF IRFP064NPBF IRFP140
Artikelnummer IRFP064 IRFP054NPBF IRFP064NPBF IRFP140
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 55 V 55 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) 81A (Tc) 110A (Tc) 31A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 170W (Tc) 200W (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 78A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 8mOhm @ 59A, 10V 77mOhm @ 19A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IRFP064 IRFP054 IRFP064 -

IRFP064 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP064 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFP064 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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