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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP064PBF
IRFP064PBF Image
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IRFP064PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP064PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP064PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP064PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18579

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Anzahl

Spezifikation

IRFP064PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP064PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP064PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 78A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP064  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP064PBF.

Produkteigenschaften IRFP064PBF IRFP054NPBF IRFP1405 IRFP064NPBF
Artikelnummer IRFP064PBF IRFP054NPBF IRFP1405 IRFP064NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 170W (Tc) 310W (Tc) 200W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) 81A (Tc) 95A (Tc) 110A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 78A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V 8mOhm @ 59A, 10V
Grundproduktnummer IRFP064 IRFP054 - IRFP064
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 55 V 55 V 55 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Paket Tube Tube Bag Tube

IRFP064PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP064PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFP064PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020.pdf
PCN -Verpackung
Packing Tube Design 19/Sep/2019.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFP064PBF

Vishay Siliconix
32D-IRFP064PBF

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