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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP150N
IRFP150N Image
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IRFP150N - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFP150N
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP150N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP150N.pdf
vorrätig: 3800

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Anzahl

Spezifikation

IRFP150N Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFP150N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFP150N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bag  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFP150N.

Produkteigenschaften IRFP150N IRFP150A IRFP17N50L IRFP140NPBF
Artikelnummer IRFP150N IRFP150A IRFP17N50L IRFP140NPBF
Hersteller Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 2270 pF @ 25 V 2760 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-3PN TO-247AC TO-247AC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 500 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 43A (Tc) 16A (Tc) 33A (Tc)
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 193W (Tc) 220W (Tc) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 23A, 10V 40mOhm @ 21.5A, 10V 320mOhm @ 9.9A, 10V 52mOhm @ 16A, 10V
Paket Bag Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® - - HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IRFP150N Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP150N PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFP150N - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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