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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP150A
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFP150A - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IRFP150A
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP150A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IRFP150A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

IRFP150A Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - IRFP150A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - IRFP150A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 21.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 193W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2270 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor IRFP150A.

Produkteigenschaften IRFP150A IRFP1405PBF IRFP150NPBF IRFP150
Artikelnummer IRFP150A IRFP1405PBF IRFP150NPBF IRFP150
Hersteller Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies Harris Corporation
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 21.5A, 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V 36mOhm @ 23A, 10V 55mOhm @ 25A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Bulk Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 193W (Tc) 310W (Tc) 160W (Tc) 230W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A (Tc) 95A (Tc) 42A (Tc) 41A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2270 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Serie - HEXFET® HEXFET® -

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Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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