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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP140PBF
IRFP140PBF Image
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IRFP140PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP140PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP140PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP140PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17441

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Anzahl

Spezifikation

IRFP140PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP140PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP140PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP140PBF.

Produkteigenschaften IRFP140PBF IRFP064VPBF IRFP150A IRFP140NPBF
Artikelnummer IRFP140PBF IRFP064VPBF IRFP150A IRFP140NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRFP140 - - IRFP140
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 250W (Tc) 193W (Tc) 140W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-3PN TO-247AC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 130A (Tc) 43A (Tc) 33A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 6760 pF @ 25 V 2270 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 100 V 100 V
Paket Tube Bag Bulk Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V 5.5mOhm @ 78A, 10V 40mOhm @ 21.5A, 10V 52mOhm @ 16A, 10V

IRFP140PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP140PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFP140PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020.pdf
PCN -Verpackung
Packing Tube Design 19/Sep/2019.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFP140PBF

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