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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR3410TRPBF
IRFR3410TRPBF Image
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IRFR3410TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR3410TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR3410TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR3410TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 69830

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Anzahl

Spezifikation

IRFR3410TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR3410TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR3410TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR3410  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR3410TRPBF.

Produkteigenschaften IRFR3410TRPBF IRFR3410PBF IRFR3411PBF IRFR3303TR
Artikelnummer IRFR3410TRPBF IRFR3410PBF IRFR3411PBF IRFR3303TR
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse D-Pak TO-252AA TO-252AA D-Pak
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IRFR3410 - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 32A (Tc) 33A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 18A, 10V 39mOhm @ 18A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V 31mOhm @ 18A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 130W (Tc) 57W (Tc)

IRFR3410TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR3410TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR3410TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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