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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR3412PBF
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IRFR3412PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR3412PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR3412PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR3412PbF, IRFU3412PbF.pdf
vorrätig: 4380

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Spezifikation

IRFR3412PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR3412PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR3412PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3430 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR3412PBF.

Produkteigenschaften IRFR3412PBF IRFR3504PBF IRFR3412TRPBF IRFR3411PBF
Artikelnummer IRFR3412PBF IRFR3504PBF IRFR3412TRPBF IRFR3411PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 100 V 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 29A, 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 25mOhm @ 29A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 130W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 30A (Tc) 48A (Tc) 32A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3430 pF @ 25 V 2150 pF @ 25 V 3430 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V

IRFR3412PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR3412PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR3412PBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRFR3412PbF, IRFU3412PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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