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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR3411TRPBF
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IRFR3411TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR3411TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR3411TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR3411TRPBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 53390

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Spezifikation

IRFR3411TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR3411TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR3411TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR3411  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR3411TRPBF.

Produkteigenschaften IRFR3411TRPBF IRFR3412PBF IRFR3412TRPBF IRFR3410PBF
Artikelnummer IRFR3411TRPBF IRFR3412PBF IRFR3412TRPBF IRFR3410PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V 3430 pF @ 25 V 3430 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Grundproduktnummer IRFR3411 - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V 25mOhm @ 29A, 10V 25mOhm @ 29A, 10V 39mOhm @ 18A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc) 31A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -

IRFR3411TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR3411TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR3411TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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