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IRFR812PBF Image
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IRFR812PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR812PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR812PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR812PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5100

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Anzahl

Spezifikation

IRFR812PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR812PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR812PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR812PBF.

Produkteigenschaften IRFR812PBF IRFR9010 IRFR825PBF IRFR8314TRPBF
Artikelnummer IRFR812PBF IRFR9010 IRFR825PBF IRFR8314TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix International Rectifier Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2.2V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V 1.3Ohm @ 3.7A, 10V 2.2mOhm @ 90A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 1346 pF @ 25 V 4945 pF @ 15 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 50 V 500 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Tc) 5.3A (Tc) 6A (Tc) 90A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-PAK (TO-252AA)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 78W (Tc) 25W (Tc) 119W (Tc) 125W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 54 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®

IRFR812PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR812PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR812PBF - Infineon Technologies herunter.

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