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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR8314TRPBF
IRFR8314TRPBF Image
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IRFR8314TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR8314TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR8314TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR8314TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39770

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Spezifikation

IRFR8314TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR8314TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR8314TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4945 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR8314  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR8314TRPBF.

Produkteigenschaften IRFR8314TRPBF IRFR9010PBF IRFR9010TRPBF IRFR9010TRLPBF
Artikelnummer IRFR8314TRPBF IRFR9010PBF IRFR9010TRPBF IRFR9010TRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4945 pF @ 15 V 240 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA) D-Pak D-Pak D-Pak
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 50 V 50 V 50 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 4.5 V 9.1 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 90A, 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 5.3A (Tc) 5.3A (Tc) 5.3A (Tc)
Grundproduktnummer IRFR8314 IRFR9010 IRFR9010 IRFR9010
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® - - -

IRFR8314TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR8314TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR8314TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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