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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR825TRPBF
IRFR825TRPBF Image
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IRFR825TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR825TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR825TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR825TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70490

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Anzahl

Spezifikation

IRFR825TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR825TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR825TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 119W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR825  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR825TRPBF.

Produkteigenschaften IRFR825TRPBF IRFR825PBF IRFR9010PBF IRFR9010TRLPBF
Artikelnummer IRFR825TRPBF IRFR825PBF IRFR9010PBF IRFR9010TRLPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 6A (Tc) 5.3A (Tc) 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3.7A, 10V 1.3Ohm @ 3.7A, 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 25 V 1346 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Grundproduktnummer IRFR825 - IRFR9010 IRFR9010
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 119W (Tc) 119W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 50 V 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel

IRFR825TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR825TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR825TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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