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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS7734TRLPBF
IRFS7734TRLPBF Image
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IRFS7734TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS7734TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS7734TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS7734TRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15180

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Anzahl

Spezifikation

IRFS7734TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS7734TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS7734TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 290W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 183A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS7734  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS7734TRLPBF.

Produkteigenschaften IRFS7734TRLPBF IRFS7730PBF IRFS7734TRL7PP IRFS7540TRLPBF
Artikelnummer IRFS7734TRLPBF IRFS7730PBF IRFS7734TRL7PP IRFS7540TRLPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 290W (Tc) 375W (Tc) 294W (Tc) 160W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10150 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V 10130 pF @ 25 V 4555 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 150µA 3.7V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 183A (Tc) 195A (Tc) 197A (Tc) 110A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 D²PAK (TO-263AB) PG-TO263-7 PG-TO263-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 75 V 75 V 60 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 3.05mOhm @ 100A, 10V 5.1mOhm @ 65A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IRFS7734 - - IRFS7540
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™

IRFS7734TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS7734TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS7734TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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