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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS7730TRL7PP
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IRFS7730TRL7PP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS7730TRL7PP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS7730TRL7PP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
IRFS7730TRL7PP.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 11005

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Spezifikation

IRFS7730TRL7PP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS7730TRL7PP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS7730TRL7PP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13970 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 428 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS7730  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS7730TRL7PP.

Produkteigenschaften IRFS7730TRL7PP IRFS7787PBF IRFS7540TRLPBF IRFS7537PBF
Artikelnummer IRFS7730TRL7PP IRFS7787PBF IRFS7540TRLPBF IRFS7537PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Serie StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 75 V 60 V 60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc) 76A (Tc) 110A (Tc) 173A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 428 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V 8.4mOhm @ 46A, 10V 5.1mOhm @ 65A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 D2PAK
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 125W (Tc) 160W (Tc) 230W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13970 pF @ 25 V 4020 pF @ 25 V 4555 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IRFS7730 - IRFS7540 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V - 6V, 10V 6V, 10V

IRFS7730TRL7PP Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS7730TRL7PP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS7730TRL7PP - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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