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IRFS7787TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS7787TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS7787TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS7787TRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5050

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Spezifikation

IRFS7787TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS7787TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS7787TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 46A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS7787  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS7787TRLPBF.

Produkteigenschaften IRFS7787TRLPBF IRFS820B IRFS7730PBF IRFS840B
Artikelnummer IRFS7787TRLPBF IRFS820B IRFS7730PBF IRFS840B
Hersteller Infineon Technologies Fairchild Semiconductor International Rectifier Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 46A, 10V 2.6Ohm @ 1.25A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 800mOhm @ 4A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer IRFS7787 - - -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET®, StrongIRFET™ -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA 4V @ 250µA 3.7V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 TO-220F-3 D²PAK (TO-263AB) TO-220F
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc) 2.5A (Tj) 195A (Tc) 8A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 500 V 75 V 500 V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 33W (Tc) 375W (Tc) 44W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V

IRFS7787TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS7787TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS7787TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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