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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU2405PBF
International Rectifier
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IRFU2405PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFU2405PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU2405PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
Planar 40<-<100V
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU2405PBF.pdf
vorrätig: 3950

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Anzahl

Spezifikation

IRFU2405PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFU2405PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFU2405PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2430 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFU2405PBF.

Produkteigenschaften IRFU2405PBF IRFU310 IRFU310BTU IRFU2905Z
Artikelnummer IRFU2405PBF IRFU310 IRFU310BTU IRFU2905Z
Hersteller International Rectifier Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 34A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 3.4Ohm @ 850mA,10V 14.5mOhm @ 36A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc) 1.7A (Tc) 1.7A (Tc) 42A (Tc)
Serie - - - HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251 (IPAK) IPAK (TO-251AA)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2430 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 400 V 400 V 55 V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) 110W (Tc)
Paket Bulk Tube Bulk Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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